习近平吁核心技术自主 武汉芯片企业宣布新突破

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今年的4月份,习近平视察了武汉新芯(图源:新华社)

中美贸易战虽暂时休战,但北京方面已认识到,解决技术受制于人的困境终归要靠自己,中共高层对“核心”技术的重视程度已在飙升。

综合媒体报道12月4日,中国芯片企业武汉新芯近期宣布,基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。其进步可将不同功能的晶圆垂直整合,在不同晶圆金属层之间实现电性互连。

武汉新芯副总裁孙鹏表示,三维集成技术是武汉新芯继NOR闪存、MCU之外的第三大技术平台。中国“集微网”称,随着该技术突破,武汉新芯三维集成技术可说是居于国际先进、国内领先水平。

行业专家莫大康表示,三片堆叠是新的技术可将存储、逻辑、传感器于一体,能缩小尺寸,提高功能,表明可向后摩尔定律前进一步,这是技术方面的重大进步。

目前,三维芯片堆叠技术已在一些设备中使用,譬如Apple Watch就由最先进的三维堆叠式芯片封装之一驱动。

据了解,武汉新芯是长江存储全资子公司。在今年4月26日,中共总书记习近平就赴武汉新芯进行考察,了解芯片全流程智能化制造和加快国产化进程等情况。在该公司,习近平说,一些重大核心技术必须靠自己攻坚克难。

不过,就在近期,中国《科技日报》宣传所谓的“全球首台分辨力最高紫外超分辨光刻机”被行业专家打脸。

中国自媒体“半导体行业观察”刊文称,“光刻分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10纳米级别的芯片”说法是错误的。因为行业内专家称,如果真能做到22纳米线宽,不用多次成像,单次曝光就可以做到10纳米。

对于舆论所谓的“新型光刻机缓解芯片压力”这种说法,文章也认为是错误,因为表面等离子体超分辨光刻技术与半导体集成电路完全无关,无法应用到集成电路领域。

12月3日,《科技日报》再度刊文,称国产22纳米光刻机治不了中国的“芯”病。文章作者称,作为旁听了中科院光电所此次验收会的一线报道者,“无法苟同一些漫无边际的瞎扯”。

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