中国计算光刻技术获重大进展 系芯片发展新动力

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光刻是芯片制造的关键技术之一,中国科学院(简称中科院)最新消息称,该院在计算光刻技术研究方面取得进展。

中国科学院官网6月10日刊文称,中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术(OPC)。

仿真结果表明,该技术具有较高的修正效率。

光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一,光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。随着集成电路图形的特征尺寸不断减小,光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应,降低了光刻成像质量。

在光刻机软硬件不变的情况下,采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化,可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口,此类技术即计算光刻技术,被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。

中国在芯片领域一直受到西方国家的制约。(视觉中国)

OPC技术通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应,从而提高成像质量。基于模型的OPC技术是实现90纳米(nm)及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。

研究团队利用多种掩模图形进行验证,仿真结果表明该OPC技术的修正效率优于常用的基于启发式算法的OPC技术。

光刻技术、芯片自主一直是中国科技创新发展中“卡脖子”的难题。

关于破解“卡脖子”难题,2020年9月22日,中共总书记习近平在教育文化卫生体育领域专家代表座谈会上表示,“中国高校要勇挑重担,释放高校基础研究、科技创新潜力”。

习近平曾多次强调,在创新科技领域要“自立自强”。(新华社)

习近平亦多次强调,中国要以科技创新催生新发展动能,大力提升自主创新能力,尽快突破关键核心技术。

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