中国发展半导体业的突破口:存储器能否突破韩国垄断

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之前紫光集团试图花230亿美元兼并美光等,但并未达成,无奈之下中国只能依靠自己的力量进行突破。

中国大陆媒体求是缘半导体联盟北京时间11月28日报道,近期中国半导体业要发展自己的存储器,包括DRAM(存储器)及3D NAND闪存。

存储芯片是电子系统的粮仓,数据的载体,关乎数据的安全,其市场规模足够大,约占半导体总体市场的三分之一。据统计,中国市场消耗了全球DRAM产值的48%,消耗了全球NAND Flash产值的35%,年进口总额高达880亿美元,对外依赖度超过90%。

对中国厂商来说,中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计,中小容量存储芯片市场规模将保持在120亿至200亿美元,其中低容量NAND有60亿至100亿美元,NOR约30亿美元,低容量DRAM约70亿美元。

随着物联网和智能终端的快速发展,将不断扩大对中小容量存储芯片的需求,因此中国存储器业可以从中小容量的存储芯片开始,再向高容量存储芯片迈进。

DRAM及3D NAND闪存是中国市场需求量最大类芯片,因此此类核心技术很难买到。美国将福建晋华、华为等列入实体清单之中,阻止中国发展及获得芯片技术。

存储器业的特点是,它的设计并不难,如NAND闪存基本上有两种结构类型,一种是Floating Gate浮栅式结构,美光,英特尔采用,另一种是Charge Trap电荷捕获型结构,在3D NAND闪存中成为主流的选择,包括三星、东芝、SK Hynix在内的闪存厂商普遍选择了Charge Trap结构。

在存储芯片领域韩国占有绝对领先的市场份额。(VCG)

DRAM量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资,扩大产能,最终以数量与价格取胜。中国有庞大的市场以及政府的集成电路大基金的扶持,困难在于产能爬坡速度,及在存储器的下降周期中能否坚持下去。

二季度,在DRAM方面,三星市占45%份额,Hynix(海力士)市占29%份额,及在NAND闪存中,三星的市占35%及Hynix的18%,可见韩国垄断全球存储器业。这种局面长久下去并不利于产业进步。

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