三星计划2022年量产3nm之际 台积电2nm传出“重大突破”

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根据三星电子披露的信息显示,三星计划在2022年量产3nm芯片,努力缩小与其竞争对手台积电的差距。

据彭博社11月18日报道,三星已定下目标,在2022年量产3nm芯片。三星电子向其下一代芯片业务投入1,160亿美元,其中包括为外部客户制造芯片。

目前,三星电子已开始大规模量产5nm芯片,并且正在研发4nm工艺。

芯片代工领域,台积电的龙头地位仍难以撼动。(Reuters)

在三星奋力追赶台积电的同时,台积电并未停下脚步,台积电的2nm工艺已取得重大突破,有望在2024年量产,该公司还将进行1nm工艺的研发,以延续摩尔定律。

台积电表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续进行1nm工艺的研发。该公司预计,苹果、高通、英伟达、AMD等客户有望率先采用其2nm工艺。

台积电2nm将放弃延用多年的FinFET( 鳍式场效应晶体管 ),也不计划采用三星在3nm上使用的GAAFET ( 环绕栅极场效应晶体管 ),而是采用MBCFET( 多桥通道场效应晶体管 )。

这一技术能够大大改进电路控制,降低漏电率。

彭博社报道指出,台积电每年花费约170亿美元,以确保自己在技术和产能方面都处于领先地位。至于三星,其半导体部门计划在2020年投入260亿美元,但主要为了支持占主导地位的内存业务。

而三星在内存制造方面的特长,也并不都与制造高级逻辑芯片直接相关。处理器的制造比内存更复杂,产量更难控制,代工客户也需要定制的解决方案,这对三星的快速扩张造成另一个障碍。

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