三星计划明年6月量产3nm芯片 2025年量产2nm芯片

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韩国三星电子(Samsung)再次确认了其在半导体代工领域的代工竞争力,三星电子已确保3nm制程工艺有稳定的良品率,计划在明年6月份开始量产,代工相关的芯片。

据韩国媒体“ddaily”10月7日报道,三星电子一位高管在某场论坛上透露,三星电子3nm制程工艺计划在明年6月份开始量产。

据悉,三星电子的3nm工艺,并未继续采用采用鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,而是采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术。三星方面表示,采用这一工艺代工的芯片,性能较5nm将提升50%,能耗降低50%。

三星电子方面对3nm工艺寄予厚望,多年前就已开始研发事宜。此前有报道称,三星电子的3nm工艺已成功流片,距离量产又更近了一步。

三星电子计划明年上半年将GAA技术用于3nm制程、2023年用于第二代3nm制程、2025年用于2nm制程。

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